·瞻芯電子3款第二代650V SiC MOSFET產品通過車規級可靠性認證
瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯電子開發的第二代SiC MOSFET芯片，具備業界較低的損耗水平，且驅動電壓為15V~18V，兼容性更好。
這3款產品導通電阻分別為25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封裝，可耐受-55°C ～175°C工作溫度，同時因TO247-4封裝具有開爾文源極引腳，而能顯著減小柵極驅動電壓尖峰。
瞻芯電子第二代SiC MOSFET產品與工藝平臺是依托浙江瞻芯電子SiC晶圓廠開發的， 自2023年9月份發布第一款第二代SiC MOSFET產品以來，至今已有十幾款采用同代技術平臺的量產產品。瞻芯電子第二代SiC MOSFET產品，對比上一代產品，通過優化柵氧化層工藝和溝道設計，讓器件的比導通電阻降低約25%，能進一步降低器件損耗，提升系統效率。
瞻芯電子采用TO247-4封裝的車規級第二代650V SiC MOSFET系列產品，因其具備高速開關，且低損耗，以及良好的驅動兼容性等優秀特性，而能為功率變換系統提供高頻、高效率的解決方案，主要適用于電機驅動、光伏逆變器、車載直流變換器（DC/DC）、車載充電機（OBC）、開關電源。
·蓉矽半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證
蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核，同時通過了新能源行業頭部廠商的導入測試并量產交付。
蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，AEC-Q101標準中對H3TRB項目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了 HV-H3TRB可靠性驗證，同時對于應用端特別關注的柵氧可靠性問題，蓉矽的產品通過了VGS=+22V/-8V的嚴苛HTGB考核，表明器件在在更為極端的應用場景中，也有優秀的穩定性和可靠性，可滿足新能源汽車、光伏逆變等領域對功率器件的高質量和車規級可靠性要求。
蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，最大可持續電流達75A。產品特點如下：
◎采用溝道自對準工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式，增加溝道密度、降低溝道電阻，提升器件在單位面積內的電流能力；
◎采用多晶硅網絡優化技術，充分降低柵極內阻，提高器件在開關過程中對輸入電容的充放電速度，降低器件開關損耗；
◎采用結終端優化技術，降低器件在結終端的曲率效應，提高器件耐壓能力；采用開爾文源的PAD設置，降低封裝中的雜散電感；
◎ VDD=800V時，短路耐受時間>3μs，TO-247-4封裝測試開啟損耗為635μJ；
◎在下圖中，A為外商產品，B為國內廠商產品；所對比產品規格接近，封裝形式皆為TO-247-3L，驅動電壓采用各廠商推薦值，測試結果采用標準化處理且蓉矽產品為“1”。從對比結果可以看出，得益于密勒電容和多晶硅電阻的優化，蓉矽第一代SiC MOSFET在開關損耗上的表現在所有競品中處于較好水平。
蓉矽SiC MOSFET應用于新能源汽車OBC和直流充電樁模塊時，可有效減少器件數量、簡化系統、降低損耗、提高效率，推動提高充電速度、實現續航突破。
