近日，三菱電機宣布，將與安世半導體建立戰略合作伙伴關系，共同開發面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術開發和供應SiC MOSFET芯片，安世半導體將使用該芯片來開發SiC分立器件。
合作方面，前不久，Coherent、電裝和三菱電機已達成協議，將向Coherent的SiC業務投資，投資金額總計10億美元（各5億美元）。
這筆投資將使電裝和三菱各換取12.5%的非控股股權，Coherent將持有剩余75%的股權。交易完成之前，Coherent將把SiC業務分離出來，并將其投入一家子公司，子公司將繼續由Coherent的新風險投資與寬帶隙電子技術執行副總裁Sohail Khan領導。
該SiC子公司將與電裝和三菱電機達成長期供應協議，以滿足電裝和三菱對150 mm和200 mm的SiC襯底和外延片的需求。
近年來，Coherent投資擴大了150 mm和200 mm襯底的生產規模，以應對這一市場。此次對SiC業務進行10億美元的合并投資，將為擴產該業務的襯底和外延片提供資金，另一方面，結合同時簽訂的供應協議，還可增強SiC業務在市場中的地位。預計2024年第一季度完成此次交易。
而今年5月，三菱電機就與Coherent簽署了一份諒解備忘錄（MOU），雙方合作開展一項計劃，在200mm技術平臺上大規模制造SiC電力電子器件。
根據公告，為了滿足快速增長的需求，三菱電機宣布在截至2026年3月的五年內投資約2600億日元。投資的主要部分（約1000億日元）將用于建設一個基于200mm技術平臺的SiC功率器件的新工廠，并加強相關生產設施。根據諒解備忘錄，Coherent公司將為三菱電機未來在新工廠生產的SiC功率器件開發供應200mm n型4H SiC襯底片。
據悉，三菱電機2026年度SiC晶圓產能預計將擴增至2022年度的約5倍水平。根據此前3月消息，三菱電機投資約1000億日元，將用于建設新的8英寸 SiC 晶圓廠并加強相關生產設施。新工廠落址日本熊本縣，將生產大直徑 8 英寸 SiC 晶圓，引入具有最先進能源效率和高水平自動化生產效率的潔凈室。據悉，新廠房將于2026年4月投產。
此外，三菱電機還將加強其位于該縣合志市工廠的6英寸SiC晶圓的生產設施，擴增產能以滿足該領域不斷增長的需求。
據了解，三菱電機上述位于熊本縣的兩座工廠均專注于前端制程。此外，三菱電機將新投資約100億日元用于新工廠，該工廠將整合目前分散在福岡地區的現有業務，用于功率半導體的封裝和檢查。集設計、開發、生產技術驗證于一體，將大大提升公司的開發能力，便于及時量產以應對市場需求。而剩余的200億日元全部為新投資，將用于設備改進、環境安排和相關運營。
多年來，三菱電機一直引領高速列車、高壓工業應用和家用電器的SiC 功率模塊市場。三菱電機于 2010 年推出全球首款空調用 SiC 功率模塊，創造了歷史，并于 2015 年成為新干線高速列車首家全 SiC 功率模塊供應商。
此外，三菱電機提出了到2025年度將功率半導體銷售額提高到2400億日元、比2021年度增長34％的目標。營業利潤率的目標是達到10％。現在占主流的硅功率半導體也在增強生產，2022年4月在廣島縣福山市的新工廠開始量產。計劃2024年度開始使用300毫米晶圓進行量產。
安世半導體方面，10月，安世半導體正式宣布與KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH （京瓷安施）建立了密切的合作關系，共同生產新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW 至11 kW 功率堆棧設計的高頻電源應用，以滿足工業電源、 EV 充電站和板載充電器等應用的需要。此次發布將進一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關系。
