近日，據紅旗研發新視界官微消息，由研發總院新能源開發院功率電子開發部牽頭與國內知名碳化硅芯片企業聯合開發的紅旗首款電驅用750V HPD全國產框架灌封式碳化硅功率模塊A樣件試制完成，并搭載于E009車型逆變器A樣機開展功能、性能試驗。本次下線標志著紅旗品牌向自主掌控功率變換核心技術邁出了重要一步。
HPD功率模塊A樣件
據悉，HPD碳化硅功率模塊A樣件創新采用直流功率端子母排疊層結構、高可靠Clip銅夾連接、高散熱水滴PinFin散熱水道、環氧樹脂灌封技術以及高耐溫銀燒結芯片貼裝工藝，實現模塊寄生電感≤7.5nH，模塊持續工作結溫175℃，輸出電流有效值達到620A。
此外，今年4月，研發總院新能源開發院功率電子開發部與中國電子科技集團第55研究所聯合開發的紅旗首款全國產電驅用1200V塑封2in1碳化硅功率模塊A樣件試制完成。
這也標志著紅旗達成電驅用碳化硅功率半導體設計與生產全自主化、全國產化，打破了國際芯片壟斷。
在碳化硅芯片方面，紅旗應用了高密度高可靠元胞結構、芯片電流增強技術、高可靠碳化硅柵氧制備工藝、精細結構加工工藝等，碳化硅芯片比導通電阻達到3.15mΩ·cm2，導通電流達到120A，技術指標達到國際先進水平。
碳化硅晶圓生產線
在模塊封裝方面，紅旗應用了行業領先的三端子母排疊層結構、高可靠銅線互聯技術與高散熱橢圓PinFin散熱水道，配合大尺寸環氧樹脂轉模塑封與高耐溫銀燒結芯片貼裝工藝，實現模塊寄生電感≤6.5nH，模塊持續工作結溫175℃，輸出電流有效值達到550A。
紅旗圍繞新結構、新工藝、新材料方面開展自主技術攻關，真正實現了芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設計與生產、封裝結構設計、塑封工藝開發與模塊試制等關鍵環節全流程自主可控。
功率模塊熱仿真示意圖
再加上本次全國產HPD碳化硅功率模塊A樣裝機成功，標志著紅旗研發“芯”征程取得了重要突破。
