將固態的高純的 Si源 和高純的 C源 作為原料，使其在 1400～2000℃ 的高溫下持續反應，最后得到高純SiC粉體。合成過程中涉及的原輔料，純度均在 6.5N以上，關鍵雜質元素 B、Al、V、Ti、Fe、W 和 Mo 等均小于 0.05ppm。
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創新性提出“半粘半夾持技術”，簡化籽晶粘結工作的同時，減少晶體應力。提高高溫下的膠水的殘炭率，采用 超聲波霧化噴涂技術，將行業傳統的手動粘結替代為設備噴涂粘結，一次粘結合格率從 45% 提高到 75% 以上。
將籽晶與石墨紙粘結固定，實現夾持石墨紙而不夾持籽晶的技術。粘紙結構減少石墨托方案的后期應力，且能有效避免夾持籽晶的缺陷及利用率低的問題，可生產較厚的高質量晶體。
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提出粉料區“自犧牲”式多孔石墨組件來穩定長晶初期“硅逃逸”、長晶區 涂層石墨件 來抵抗“硅腐蝕”、“梯度式”裝料穩定長晶過程中“碳硅比”技術，實現 6-8英寸 晶體快速生長，生長速度 提高40%以上，晶片碳包裹合格率由 80% 提高到 95% 以上。
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石墨“筒狀輻射發熱” 替代坩堝上方軟、硬氈的保溫熱場，減少熱場上端的腐蝕，同時避免爐次與爐次之間的溫度波動，提高熱場壽命與熱場穩定性。熱場平均壽命可 提高80%以上。
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提出“石墨翅片”組件的溫度調節裝置，相對于石墨環表面積 提高277%，換熱效應 提高127%。以此替代石墨氈調整溫度梯度，避免石墨氈在高溫下收縮、硅腐蝕等行業難題，實現“相似型饅頭面”的生長方式，提高晶體質量與穩定性。
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我司業內首推 0.105mm 螺旋線 進行SiC砂漿切割。我司加工時間已縮短至 80小時，切割效率 提高38%。通過對線切單位面積切割力計算和測試，我司0.105mm螺旋線用線量已經降低至 1.2km/pcs，損耗 減少60%以上。我司單刀裝載量為 300pcs/刀，裝載量 提升50%，且良率在 99.5% 以上。
通過對碳化硅線切的深入研究，開發了高效率、低成本的線切加工方式。
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